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BSM75GB170DN2HOSA1
零件编号：
BSM75GB170DN2HOSA1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Infineon Technologies
描述：
IGBT MOD 1700V 110A 625W
封装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
    Obsolete
  • 安装类型
    Chassis Mount
  • 最大功率
    625 W
  • 工作温度
    150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    Module
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1700 V
  • 输入类型
    Standard
  • 配置
    Half Bridge
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 75A
  • 输入电容（Cies）@ Vce
    11 nF @ 25 V
  • NTC热敏电阻
    No
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    110 A
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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