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DD1200S12H4HOSA1
零件编号：
DD1200S12H4HOSA1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Infineon Technologies
描述：
IGBT MODULE 1200V 1200A
封装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Chassis Mount
  • 最大功率
    1200000 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C
  • 封装 / 外壳
    Module
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1200 V
  • 输入类型
    Standard
  • 配置
    2 Independent
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.35V @ 15V, 1200A
  • NTC热敏电阻
    No
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    1200 A
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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