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FD200R12KE3HOSA1
零件编号：
FD200R12KE3HOSA1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Infineon Technologies
描述：
IGBT MODULE 1200V 1050W
封装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 17
最小 : 1
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单价
价格
1
99.56
99.56
10
82.24
822.4
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Chassis Mount
  • 最大功率
    1050 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 125°C
  • 封装 / 外壳
    Module
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1200 V
  • 输入类型
    Standard
  • 配置
    Single Chopper
  • 集电极截止电流（最大值）
    5 mA
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • 输入电容（Cies）@ Vce
    14 nF @ 25 V
  • NTC热敏电阻
    No
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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