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FGL35N120FTDTU
零件编号：
FGL35N120FTDTU
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Fairchild Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 1200V 70A HPM F2
封装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 15470
最小 : 53
数量
单价
价格
53
5.73
303.69
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    368 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-264-3, TO-264AA
  • 供应商器件封装
    HPM F2
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1200 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    105 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    337 ns
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 35A
  • 测试条件
    600V, 35A, 10Ohm, 15V
  • 开关能量
    2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
  • 栅极电荷
    210 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    34ns/172ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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