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GH50H65DRB2-7AG
零件编号：
GH50H65DRB2-7AG
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
STMicroelectronics
描述：
IGBT
封装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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1480
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    Automotive
  • 认证
    AEC-Q101
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 最大功率
    385 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 供应商器件封装
    H2PAK-7
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    912 ns
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 50A
  • 测试条件
    400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    200 A
  • 开关能量
    557µJ (off)
  • 栅极电荷
    152 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    -/117ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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