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GT10J312(Q)
零件编号:
GT10J312(Q)
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
包装:
ROHS状态:
None
货币:
USD
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规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 功率 - 最大
    60 W
  • 工作温度
    150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600 V
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间 (trr)
    200 ns
  • 包装/箱
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    10 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    20 A
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Td（开/关）@ 25°C
    400ns/400ns
  • 测试条件
    300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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