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GT20N135SRA,S1E
零件编号:
GT20N135SRA,S1E
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
IGBT 1350V 40A TO247
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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库存 1610
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数量
单价
价格
1
3.21
3.21
10
2.89
28.9
30
2.73
81.9
120
2.36
283.2
270
2.24
604.8
510
2.01
1025.1
1020
1.7
1734
2520
1.61
4057.2
5010
1.55
7765.5
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    40 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    80 A
  • 输入类型
    Standard
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • 供应商设备包
    TO-247
  • 功率 - 最大
    312 W
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1350 V
  • 开关能量
    -, 700µJ (off)
  • 栅极电荷
    185 nC
  • 测试条件
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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