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GT30J341,Q
零件编号:
GT30J341,Q
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
IGBT 600V 59A TO3P
包装:
Tray
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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价格
1
3.33
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10
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25
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70.75
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2.45
245
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699
500
2.09
1045
1000
1.76
1760
2400
1.67
4008
4900
1.61
7889
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600 V
  • 包装/箱
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 输入类型
    Standard
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 反向恢复时间 (trr)
    50 ns
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • 供应商设备包
    TO-3P(N)
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    59 A
  • 功率 - 最大
    230 W
  • 测试条件
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • 开关能量
    800µJ (on), 600µJ (off)
  • Td（开/关）@ 25°C
    80ns/280ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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