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GT30J65MRB,S1E
零件编号：
GT30J65MRB,S1E
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
IGBT 650V 60A TO-3P
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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价格
1
3.82
3.82
25
2.16
54
100
1.76
176
500
1.44
720
1000
1.34
1340
2000
1.33
2660
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    200 W
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 供应商器件封装
    TO-3P(N)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    200 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 30A
  • 测试条件
    400V, 15A, 56Ohm, 15V
  • 开关能量
    1.4mJ (on), 220µJ (off)
  • 栅极电荷
    70 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    75ns/400ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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