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GT30N135SRA,S1E
零件编号:
GT30N135SRA,S1E
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
IGBT 1350V 60A TO247
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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单价
价格
1
3.69
3.69
10
3.32
33.2
30
3.14
94.2
120
2.72
326.4
270
2.58
696.6
510
2.31
1178.1
1020
1.95
1989
2520
1.85
4662
5010
1.78
8917.8
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 输入类型
    Standard
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • 供应商设备包
    TO-247
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    60 A
  • 栅极电荷
    270 nC
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 功率 - 最大
    348 W
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1350 V
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 60A
  • 开关能量
    -, 1.3mJ (off)
  • 测试条件
    300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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