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GT40WR21,Q
零件编号:
GT40WR21,Q
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
IGBT 1350V 40A TO3P
包装:
Tray
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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价格
1
10.81
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10
9.26
92.6
25
8.63
215.75
100
7.72
772
300
7.26
2178
500
6.81
3405
1000
6.13
6130
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    40 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    80 A
  • 包装/箱
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 输入类型
    Standard
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 供应商设备包
    TO-3P(N)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1350 V
  • 功率 - 最大
    375 W
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    5.9V @ 15V, 40A
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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