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GT50JR22(STA1,E,S)
零件编号:
GT50JR22(STA1,E,S)
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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价格
1
4.7
4.7
25
3.72
93
100
3.19
319
500
2.84
1420
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    50 A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600 V
  • 包装/箱
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 输入类型
    Standard
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    100 A
  • 供应商设备包
    TO-3P(N)
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • 功率 - 最大
    230 W
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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