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GT60N321(Q)
零件编号:
GT60N321(Q)
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述:
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
包装:
ROHS状态:
None
货币:
USD
PDF:
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规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    150°C (TJ)
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间 (trr)
    2.5 µs
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    60 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1000 V
  • 功率 - 最大
    170 W
  • 包装/箱
    TO-3PL
  • 供应商设备包
    TO-3P(LH)
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Td（开/关）@ 25°C
    330ns/700ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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