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HGT1S12N60B3D
零件编号:
HGT1S12N60B3D
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Harris Corporation
描述:
27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
包装:
ROHS状态:
None
货币:
USD
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规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600 V
  • 输入类型
    Standard
  • 包装/箱
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 供应商设备包
    I2PAK (TO-262)
  • 功率 - 最大
    104 W
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    27 A
  • 栅极电荷
    78 nC
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    110 A
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 12A
  • 测试条件
    480V, 12A, 25Ohm, 15V
  • 开关能量
    304µJ (on), 250µJ (off)
  • Td（开/关）@ 25°C
    26ns/150ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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