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HGT1S12N60C3D
零件编号:
HGT1S12N60C3D
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Harris Corporation
描述:
24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
包装:
ROHS状态:
None
货币:
USD
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规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600 V
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间 (trr)
    40 ns
  • 包装/箱
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 15A
  • 供应商设备包
    TO-262 (I2PAK)
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    96 A
  • 栅极电荷
    62 nC
  • 功率 - 最大
    104 W
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    24 A
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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