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HGT1S15N120C3S
零件编号:
HGT1S15N120C3S
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Harris Corporation
描述:
35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
包装:
ROHS状态:
None
货币:
USD
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1
4.02
4.02
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200 V
  • 输入类型
    Standard
  • 包装/箱
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商设备包
    TO-263AB
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    35 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 栅极电荷
    100 nC
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    3.5V @ 15V, 15A
  • 功率 - 最大
    164 W
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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