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HGT1S2N120CN
零件编号:
HGT1S2N120CN
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
N-CHANNEL IGBT
包装:
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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库存 89288
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数量
单价
价格
1
2.03
2.03
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200 V
  • 输入类型
    Standard
  • 供应商设备包
    TO-262
  • 包装/箱
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • IGBT类型
    NPT
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    20 A
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    13 A
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 2.6A
  • 功率 - 最大
    104 W
  • 开关能量
    96µJ (on), 355µJ (off)
  • 栅极电荷
    30 nC
  • Td（开/关）@ 25°C
    25ns/205ns
  • 测试条件
    960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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