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HGT1S3N60A4DS9A
零件编号:
HGT1S3N60A4DS9A
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
N-CHANNEL IGBT
包装:
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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1
1.8
1.8
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 功率 - 最大
    70 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600 V
  • 输入类型
    Standard
  • 供应商设备包
    TO-263 (D2PAK)
  • 包装/箱
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 栅极电荷
    21 nC
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    40 A
  • 反向恢复时间 (trr)
    29 ns
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    17 A
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 3A
  • 开关能量
    37µJ (on), 25µJ (off)
  • Td（开/关）@ 25°C
    6ns/73ns
  • 测试条件
    390V, 3A, 50Ohm, 15V
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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