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HGTD3N60B3
零件编号：
HGTD3N60B3
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Harris Corporation
描述：
IGBT 600V 7A IPAK
封装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 4349
最小 : 486
数量
单价
价格
486
0.62
301.32
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    33.3 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • 供应商器件封装
    IPAK
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    600 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    20 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    16 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 3.5A
  • 测试条件
    480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
  • 开关能量
    66µJ (on), 88µJ (off)
  • 栅极电荷
    21 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    18ns/105ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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