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HGTG30N60B3
零件编号:
HGTG30N60B3
产品分类:
分立半导体产品
制造商:
Harris Corporation
描述:
600 V, NPT IGBT
包装:
ROHS状态:
None
货币:
USD
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规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600 V
  • 输入类型
    Standard
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • 供应商设备包
    TO-247
  • 集电极电流 (Ic)（最大）
    60 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    220 A
  • 栅极电荷
    170 nC
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • 功率 - 最大
    208 W
  • Td（开/关）@ 25°C
    36ns/137ns
  • 测试条件
    480V, 30A, 3Ohm, 15V
  • 开关能量
    500µJ (on), 680µJ (off)
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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