收藏 比较
IXDN75N120
零件编号：
IXDN75N120
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
IXYS
描述：
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
立即购买 添加到购物车
库存 318
最小 : 1
数量
单价
价格
1
46.48
46.48
10
34.99
349.9
100
32.59
3259
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Chassis Mount
  • 最大功率
    660 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 供应商器件封装
    SOT-227B
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    1200 V
  • 输入类型
    Standard
  • 配置
    Single
  • 集电极截止电流（最大值）
    4 mA
  • IGBT类型
    NPT
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • 输入电容（Cies）@ Vce
    5.5 nF @ 25 V
  • NTC热敏电阻
    No
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    150 A
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

提交

它是空的