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IXXN110N65B4H1
零件编号：
IXXN110N65B4H1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
IXYS
描述：
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 210
最小 : 1
数量
单价
价格
1
29.49
29.49
10
21.61
216.1
100
18.49
1849
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Chassis Mount
  • 最大功率
    750 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 供应商器件封装
    SOT-227B
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 输入类型
    Standard
  • 配置
    Single
  • 集电极截止电流（最大值）
    50 µA
  • IGBT类型
    PT
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 110A
  • 输入电容（Cies）@ Vce
    3.65 nF @ 25 V
  • NTC热敏电阻
    No
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    215 A
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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