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IXYN120N65C3D1
零件编号：
IXYN120N65C3D1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
IXYS
描述：
IGBT PT 650V 190A SOT-227B
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
    Obsolete
  • 安装类型
    Chassis Mount
  • 最大功率
    830 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 供应商器件封装
    SOT-227B
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    29 ns
  • IGBT类型
    PT
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 100A
  • 测试条件
    400V, 50A, 2Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    190 A
  • 开关能量
    1.25mJ (on), 500µJ (off)
  • 栅极电荷
    265 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    28ns/127ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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