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RGT20TM65DGC9
零件编号：
RGT20TM65DGC9
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 10A TO220NFM
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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价格
1
3.46
3.46
50
1.74
87
100
1.57
157
500
1.28
640
1000
1.19
1190
2000
1.11
2220
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    25 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-220-3 Full Pack
  • 供应商器件封装
    TO-220NFM
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    10 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    42 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 10A
  • 测试条件
    400V, 10A, 10Ohm, 15V
  • 栅极电荷
    22 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    12ns/32ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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