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RGT30TM65DGC9
零件编号：
RGT30TM65DGC9
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 768
最小 : 1
数量
单价
价格
1
2.01
2.01
50
0.97
48.5
100
0.86
86
500
0.69
345
1000
0.63
630
2000
0.58
1160
5000
0.53
2650
10000
0.53
5300
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    32 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-220-3 Full Pack
  • 供应商器件封装
    TO-220NFM
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    14 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    55 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • 测试条件
    400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • 栅极电荷
    32 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    18ns/64ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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