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RGT8BM65DGTL1
零件编号：
RGT8BM65DGTL1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
封装：
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 2460
最小 : 1
数量
单价
价格
1
2.15
2.15
10
1.38
13.8
100
0.93
93
500
0.74
370
1000
0.71
710
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 最大功率
    62 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • 供应商器件封装
    TO-252GE
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    12 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    40 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • 测试条件
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • 栅极电荷
    13.5 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    17ns/69ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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