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RGT8NS65DGC9
零件编号：
RGT8NS65DGC9
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 962
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价格
1
1.55
1.55
50
0.73
36.5
100
0.65
65
500
0.51
255
1000
0.47
470
2000
0.43
860
5000
0.39
1950
10000
0.37
3700
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    65 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 供应商器件封装
    TO-262
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    12 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    40 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • 测试条件
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    8 A
  • 栅极电荷
    13.5 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    17ns/69ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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