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RGTVX2TS65GC11
零件编号：
RGTVX2TS65GC11
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 400
最小 : 1
数量
单价
价格
1
3.83
3.83
30
2.1
63
120
1.71
205.2
510
1.43
729.3
1020
1.33
1356.6
2010
1.28
2572.8
规格
  • 零件状态
    Not For New Designs
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    319 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247N
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    111 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 60A
  • 测试条件
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    240 A
  • 开关能量
    2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
  • 栅极电荷
    123 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    49ns/150ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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