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RGW60TK65DGVC11
零件编号：
RGW60TK65DGVC11
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 410
最小 : 1
数量
单价
价格
1
7.19
7.19
10
4.86
48.6
450
3.01
1354.5
900
2.98
2682
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    72 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-3PFM, SC-93-3
  • 供应商器件封装
    TO-3PFM
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    33 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    92 ns
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • 测试条件
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 开关能量
    480µJ (on), 490µJ (off)
  • 栅极电荷
    84 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    37ns/114ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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