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RGW80TS65GC11
零件编号：
RGW80TS65GC11
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 122
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数量
单价
价格
1
6.17
6.17
30
3.51
105.3
120
2.92
350.4
510
2.49
1269.9
1020
2.43
2478.6
规格
  • 零件状态
    Not For New Designs
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    214 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247N
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    78 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 40A
  • 测试条件
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    160 A
  • 开关能量
    760µJ (on), 720µJ (off)
  • 栅极电荷
    110 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    44ns/143ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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