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RGWSX2TS65DGC13
零件编号：
RGWSX2TS65DGC13
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 104A TO-247G
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 595
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数量
单价
价格
1
7.63
7.63
30
4.41
132.3
120
3.71
445.2
510
3.22
1642.2
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    288 W
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247G
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    88 ns
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 60A
  • 测试条件
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    180 A
  • 开关能量
    1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
  • 栅极电荷
    140 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    55ns/180ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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