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RJP65T43DPM-00#T1
零件编号：
RJP65T43DPM-00#T1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
IGBT TRENCH 650V 40A TO-3PFM
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
    Discontinued at
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    68.8 W
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-220-3 Full Pack
  • 供应商器件封装
    TO-3PFM
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    40 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT类型
    Trench
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • 测试条件
    400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 开关能量
    170µJ (on), 110µJ (off)
  • 栅极电荷
    70 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    30ns/107ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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