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RJP65T43DPQ-A0#T2
零件编号：
RJP65T43DPQ-A0#T2
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
IGBT TRENCH 650V 60A TO-247A
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF:
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库存 1543
最小 : 1
数量
单价
价格
1
9.04
9.04
25
5.51
137.75
100
4.99
499
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    150 W
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247A
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT类型
    Trench
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • 测试条件
    400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 开关能量
    170µJ (on), 130µJ (off)
  • 栅极电荷
    69 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    35ns/105ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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