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RJP65T54DPM-E0#T2
零件编号：
RJP65T54DPM-E0#T2
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PF
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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规格
  • 零件状态
    Obsolete
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    63.5 W
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-3PFM, SC-93-3
  • 供应商器件封装
    TO-3PF
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBT类型
    Trench
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    1.68V @ 15V, 30A
  • 测试条件
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    225 A
  • 开关能量
    330µJ (on), 760µJ (off)
  • 栅极电荷
    72 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    35ns/120ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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