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STGB30M65DF2
零件编号：
STGB30M65DF2
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
STMicroelectronics
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263
封装：
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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价格
1
3.27
3.27
10
2.13
21.3
100
1.48
148
500
1.26
630
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 最大功率
    258 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商器件封装
    TO-263 (D2PAK)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    140 ns
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • 测试条件
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 开关能量
    300µJ (on), 960µJ (off)
  • 栅极电荷
    80 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    31.6ns/115ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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