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STGW50H65DFB2-4
零件编号：
STGW50H65DFB2-4
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
STMicroelectronics
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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5.29
5.29
30
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89.1
120
2.46
295.2
510
2.09
1065.9
1020
1.98
2019.6
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    272 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-4
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 集电极电流（Ic）（最大值）
    86 A
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    92 ns
  • 电阻匹配比
    -
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 50A
  • 测试条件
    400V, 50A, 12Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    150 A
  • 开关能量
    629µJ (on), 478µJ (off)
  • 栅极电荷
    151 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    18ns/128ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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