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STGW80H65DFB
零件编号：
STGW80H65DFB
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
STMicroelectronics
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
封装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 600
最小 : 1
数量
单价
价格
1
6.04
6.04
30
3.43
102.9
120
2.85
342
510
2.43
1239.3
1020
2.36
2407.2
规格
  • 零件状态
    Active
  • 安装类型
    Through Hole
  • 最大功率
    469 W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
    650 V
  • 输入类型
    Standard
  • 反向恢复时间
    85 ns
  • IGBT类型
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 80A
  • 测试条件
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • 集电极脉冲电流 (Icm)
    120 A
  • 开关能量
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • 栅极电荷
    414 nC
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C
    84ns/280ns
  • 1147701964
  • +0086 13632650773

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