动态随机存取存储器(DRAM) (164)

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产品 描述 RoHS 价格 状态 数量
K4F2E3S4HA-GHCL
品牌: SAMSUNG(三星半导体)
包装: FBGA-200
K4F2E3S4HA-GHCL
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 2000
K4F8E3S4HD-MGCL
品牌: SAMSUNG(三星半导体)
包装: FBGA-200
K4F8E3S4HD-MGCL
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 3010
K4EBE304ED-EGCG
品牌: SAMSUNG(三星半导体)
包装: FBGA-178
K4EBE304ED-EGCG
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 3360
K4EBE304EC-EGCG
品牌: SAMSUNG(三星半导体)
包装: FBGA-178
K4EBE304EC-EGCG
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 2000
K4E6E304EB-EGCG
品牌: SAMSUNG(三星半导体)
包装: FBGA-178
K4E6E304EB-EGCG
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 2000
K3QF3F30BM-AGCG
品牌: SAMSUNG(三星半导体)
包装: FBGA-178
K3QF3F30BM-AGCG
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 2000
K4E6E304EB-EGCF
品牌: SAMSUNG(三星半导体)
包装: FBGA-178
K4E6E304EB-EGCF
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 3010
IS49RL36160-107EBL
品牌: ISSI(美国芯成)
包装: FBGA-168
IS49RL36160-107EBL
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 3010
IS49RL36160-125EBLI
品牌: ISSI(美国芯成)
包装: FBGA-168
IS49RL36160 125EBLI
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 3010
IS49RL36160-125EBL
品牌: ISSI(美国芯成)
包装: FBGA-168
IS49RL36160 125EBL
存储器 动态随机存取存储器(DRAM)
ROHS
库存 3010