G06N06S
G06N06S
零件编号
G06N06S
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
封装
-
包装
卷带式 (TR)
ROHS状态
Yes
价格
CNY ¥1.9151
数据表
数量
立即购买
单价
价格
库存:
最小 : 4000
倍数 : 1
数量
单价
价格
1
¥5.1358
¥5.1358
10
¥4.4394
¥44.3940
100
¥3.0467
¥304.6649
500
¥2.5243
¥1,262.1829
1000
¥2.1762
¥2,176.1774
2000
¥1.9151
¥3,830.0724
4000
¥1.9151
¥7,660.1447
8000
¥1.8280
¥14,623.9127
12000
¥1.7410
¥20,891.3038
28000
¥1.6538
¥46,309.0567
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购买及询价
规格
运输
数据表
ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs22mOhm @ 6A, 10V
功耗（最大）2.1W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs46 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1600 pF @ 30 V

运输费


运费起价 40 美元，但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如（南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等）
基本运费（包裹≤0.5公斤或相应体积）取决于时区和国家。


邮寄方式


目前，我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后，预计交货时间取决于您选择的运输方式：

联邦快递国际，5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

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