G3R40MT12D G3R40MT12D
G3R40MT12D
零件编号
G3R40MT12D
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
GeneSiC Semiconductor
类型
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
封装
-
包装
管子
ROHS状态
Yes
价格
CNY ¥151.6361
数据表
数量
立即购买
单价
价格
库存:
最小 : 30
倍数 : 1
数量
单价
价格
1
¥151.6361
¥151.6361
10
¥138.4049
¥1,384.0489
25
¥133.4432
¥3,336.0800
100
¥126.3924
¥12,639.2388
250
¥121.8659
¥30,466.4846
500
¥118.5582
¥59,279.0744
替代型号
G3R40MT12D
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
相似型号
G3R40MT12D
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
G3R40MT12K
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
G3R40MT12J
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
购买及询价
规格
运输
数据表
ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。
类型描述
制造商GeneSiC Semiconductor
系列G3R™
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C71A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs48mOhm @ 35A, 15V
功耗(最大)333W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.69V @ 10mA
供应商设备包TO-247-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V
Vgs(最大)±15V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs106 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2929 pF @ 800 V

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

G3R40MT12D 相关信息
热销零件
相关类别