G7P03S
G7P03S
零件编号
G7P03S
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
封装
-
包装
卷带式 (TR)
ROHS状态
Yes
价格
CNY ¥3.4819
数据表
数量
立即购买
单价
价格
库存:
最小 : 4000
倍数 : 1
数量
单价
价格
1
¥3.4819
¥3.4819
10
¥2.9596
¥29.5960
100
¥2.0891
¥208.9130
500
¥1.5668
¥783.4238
1000
¥1.3057
¥1,305.7064
2000
¥1.1316
¥2,263.2246
4000
¥1.1316
¥4,526.4492
8000
¥1.1316
¥9,052.8983
12000
¥1.0446
¥12,534.7823
28000
¥1.0446
¥29,247.8252
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购买及询价
规格
运输
数据表
ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs22mOhm @ 3A, 10V
功耗（最大）2.7W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs24.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1253 pF @ 15 V

运输费


运费起价 40 美元，但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如（南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等）
基本运费（包裹≤0.5公斤或相应体积）取决于时区和国家。


邮寄方式


目前，我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后，预计交货时间取决于您选择的运输方式：

联邦快递国际，5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

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