SCT012H90G3AG
SCT012H90G3AG
零件编号
SCT012H90G3AG
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
STMicroelectronics
类型
H2PAK-7
封装
-
包装
卷带式 (TR)
ROHS状态
Yes
价格
CNY ¥261.6636
数据表
-
数量
立即购买
单价
价格
库存:
最小 : 1000
倍数 : 1
数量
单价
价格
1000
¥261.6636
¥261,663.5797
替代型号
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
相似型号
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
购买及询价
规格
运输
数据表
ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C110A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs15.8mOhm @ 60A, 18V
功耗(最大)625W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 10mA
供应商设备包H2PAK-7
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 18V
Vgs(最大)+18V, -5V
漏源电压 (Vdss)900 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs138 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3880 pF @ 600 V
资质AEC-Q101

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

SCT012H90G3AG 相关信息
热销零件
相关类别