CGD65B130S2-T13
CGD65B130S2-T13
零件编号
CGD65B130S2-T13
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Cambridge GaN Devices
类型
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
封装
-
包装
卷带式 (TR)
ROHS状态
Yes
价格
CNY ¥55.8842
数据表
数量
立即购买
单价
价格
库存:
最小 : 5000
倍数 : 1
数量
单价
价格
1
¥55.8842
¥55.8842
10
¥46.9184
¥469.1839
100
¥37.9525
¥3,795.2536
500
¥33.7742
¥16,887.1372
1000
¥28.8996
¥28,899.6368
2000
¥27.2458
¥54,491.4840
5000
¥26.1142
¥130,570.6486
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购买及询价
规格
运输
数据表
ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。
类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs182mOhm @ 900mA, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 4.2mA
供应商设备包8-DFN (5x6)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)9V, 20V
Vgs(最大)+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.3 nC @ 12 V

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

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